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【授权专利】[200710070024.4]侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷制备方法

上传时间：2014-01-03 11:10:55 浏览次数：12345 作者与来源：许文东

· 申请公开说明书（6）页

· 审定授权说明书（6）页

申请号：	200710070024.4	申请日：	2007.07.16
名称：	侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷制备方法
公开 (公告) 号：	CN101100516	公开(公告)日：	2008.01.09
主分类号：	C08G77/60(2006.01)I	分案原申请号：
分类号：	C08G77/60(2006.01)I
颁证日：		优先权：
申请(专利权)人：	杭州师范大学
地址：	310012浙江省杭州市下沙高教园区学林街16号
发明 (设计)人：	李美江;吕素芳;来国桥;蒋剑雄;邱化玉	国际申请：
国际公布：		进入国家日期：
专利代理机构：	杭州中成专利事务所有限公司	代理人：	陈小良

摘要

本发明涉及一种有机高分子聚合物的制备方法，尤其是指一种新型导电的侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷制备方法。本发明需要解决的技术问题是，以含氢聚硅烷、含乙烯基的四硫代富瓦烯衍生物为原料，以H₂PtCl₆为催化剂，在有机溶剂存在下，经硅氢加成反应可制备侧链含四硫代富瓦烯结构单元的聚硅烷。本发明的优点是所制备的新型聚硅烷与传统的聚硅烷相比，经氧化掺杂后，导电率高，在空气中稳定性好，有望作为有机导电材料得到应用。